Günümüz elektronik teknolojisinde ve elektronik sanayinde çok fazla kullanılan Schottky kontaklar
geniş bir uygulama
alanına ve önemli bir yere sahiptir. Bu sebeple bu elemanlar üzerinde çok fazla durulması
gerekir ve birçok
araştırmanın da konusu
olmuştur. Diyodun
tavlama ve numune sıcaklığıyla karakteristik parametrelerinin değişip değişmediğinin değişimini görmek için diyotların tavlamaya ve numune sıcaklığına bağlı akım-gerilim karakteristikleri incelendi. Yapılan hesaplamalar sonucunda
tavlanmamış diyot
için oda sıcaklığında idealite faktörü ve engel yüksekliği I-V ölçümlerinden sırasıyla 1,15 ve 0,74 eV değerleri
elde edildi. Yine 200
0C tavlanmış diyot için oda sıcaklığında idealite faktörü
ve engel yüksekliği sırasıyla 1,11 ve 0,73 eV olarak
hesaplanmıştır. Buna göre tavlama
neticesinde diyot tavlama sıcaklığına bağlı olarak daha kararlı hale geldiği söylenebilir. Bu durum, metal yarıiletken arayüzeyindeki istenmeyen fazların tavlama
sıcaklığına bağlı olarak
azaldığının veya büyük ölçüde
yok olduğunun bir kanıtıdır. Au/n-Si/Al Schottky
diyotların oda sıcaklığında tavlanmadan önce ve 200 0C’de tavlandıktan sonra seri direnç ve engel yüksekliği değerleri Norde Fonksiyonları kullanılarak hesaplandı.
Schottky diyod Termal tavlama Engel yüksekliği Seri Direnç Norde Fonksiyonları
Schottky contacts electronic technology and electronics industry have an important
place. Thus today are more extensively in wide range of applications. Because of this reason they will need to focus a lot of studies and research
works.The annealing temperature and the sample temperature characteristic parameters of the diode to see that changed or not depending on current-voltage characteristics were investigated. As a result of the calculation from I-V measurements for as-deposited sample were obtained
ideality factor
and barrier height of 1.15 and 0.74 eV at room temperature respectively. Likewise the calculation from
I-V measurements for 200
0C annealed sample were obtained ideality factor and
barrier height 1.11 and
0.73 eV
at
room temperature respectively. According to this as a result of
annealing diode has become more stable. In this case, the metal semiconductor interfacial unwanted phases is evidence
that decrease depending of the annealing temperature.
As
deposited and 200 0C annealed Au/n-Si/Al Schottky
diodes at room temperature series resistance and barrier height values were calculated using the function
Norde’s.
Schottky diode Thermal annealing Barrier height Series Resistance Norde Functions
Konular | Mühendislik |
---|---|
Bölüm | Special |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 24 Nisan 2017 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2017 Cilt: 38 Sayı: 2 |